補償導線食品加工碳化硅
日本大阪舉行WIRE談論Corporation(Sansha)和MFG Electric談論,Ltd .(Co。Sansha Electric)宣布他們今天非常緊湊模塊,補償導線食品加工碳化硅(原文如此)與一個極其有效的操作系統(tǒng)減刑的勢力。模塊喂養(yǎng)SiC a適當可靠和大有助于縮小政府規(guī)模的減刑制度等國變換器工業(yè)和能源。
SiC很有希望由于補償導線物力超出并應減少能源消費不同系統(tǒng)減刑的勢力。這些裝置減刑高功率應放在一個所謂的進料斜模塊已納入多種晶體管。模塊發(fā)達SiC喂養(yǎng)是基于下列專有技術(shù)。
“DioMOS MOSFET(SiC)無綜合了補償導線反向駕駛者的特性沒有外部二極管二極管。整個任務區(qū)的芯片(SiC減為一半條約原文相比,這有助于全面致力于減輕單元。設(shè)計DioMOS結(jié)構(gòu)的改善減少國家抵抗和150 mΩ- 6(A)。
技術(shù)的使用Sansha Electric Techno Block焊接的無d’adhérence有線電纜芯片SiC。在這種配置減少一半的模塊單元和條約相比,他們還可以提供三倍于耐力測試周期力量。
食品補償導線生產(chǎn)單元綜合了兩種晶體管SiC SiC套餐在mΩ抵抗和6國從電流/電壓名義150 A / 1200訴模塊的總量相比減少三分之一是在一個模塊喂養(yǎng)SiC常規(guī)武器。這些特征與促進良好的系統(tǒng)的可靠性和擁有極為有效。
這些補償導線研究成果和發(fā)展將提交Electrics展覽“The破譯Power”會議2015年2015年3月15日至19日(夏洛特、北卡羅來納、美國)。
